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HM1804	文件：2.29867 Mbytes Page：22 Pages	Lowcostsynchronous3Alithiumbatterycharging	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
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HY1804D	文件：883.75 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features 40V/80A, RDS(ON)=4.0m2(typ.)@VGs=10V AvalancheRated ReliableandRugged LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant)	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI
HY1804P	文件：916.81 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1804S	文件：883.75 Kbytes Page：12 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features 40V/80A, RDS(ON)=4.0m2(typ.)@VGs=10V AvalancheRated ReliableandRugged LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant)	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI

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产品属性

产品编号：
CDCM1804RTHR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 时钟缓冲器，驱动器
包装：
卷带（TR）
类型：
扇出缓冲器（分配），除法器，多路复用器
电路数：
1
比率 - 输入：
1：4
差分 - 输入：
是/是
输入：
CML，HSTL，LVDS，LVPECL，LVTTL，SSTL-2，VML
输出：
LVCMOS，LVPECL
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
24-VQFN（4x4）
描述：
IC CLK BUFFER 1

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