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CDCLVD2108RGZT	文件：778.56 Kbytes Page：20 Pages	Dual 1:8 Low Additive Jitter LVDS Buffer	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CDCLVD2108RGZT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）时钟缓冲器，驱动器描述：IC CLK BUFFER 1:8 800MHZ 48VQFN	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CDCLVP2108	文件：778.54 Kbytes Page：24 Pages	16LVPECLOutput,High-PerformanceClockBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CDCLVP2108RGZR	文件：778.54 Kbytes Page：24 Pages	16LVPECLOutput,High-PerformanceClockBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CDCLVP2108RGZR	文件：1.18163 Mbytes Page：31 Pages	16-LVPECLOutput,High-PerformanceClockBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CDCLVP2108RGZT	文件：1.18163 Mbytes Page：31 Pages	16-LVPECLOutput,High-PerformanceClockBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CDCLVP2108RGZT	文件：778.54 Kbytes Page：24 Pages	16LVPECLOutput,High-PerformanceClockBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
CEC2108E	文件：607.9 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,29A,RDS(ON)=13mW@VGS=10V. RDS(ON)=14mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant. RDS(ON)=19mW@VGS=2.5V. ESDProtected:2000V. RDS(ON)=27mW@VGS=1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEG2108E	文件：494.5 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 20V,8.5A,RDS(ON)=14mW@VGS=10V. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TSSOP-8forSurfaceMountPackage. RoHScompliant. RDS(ON)=20mW@VGS=2.5V. RDS(ON)=28mW@VGS=1.8V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM2108	文件：139.59 Kbytes Page：4 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■20V,9.5A,RDS(ON)=14mΩ@VGS=4.5V. RDS(ON)=20mΩ@VGS=2.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET

产品属性

产品编号：
CDCLVD2108RGZT
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 时钟缓冲器，驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
扇出缓冲器（分配）
电路数：
2
比率 - 输入：
1：8
差分 - 输入：
是/是
输入：
LVCMOS，LVDS，LVPECL
输出：
LVDS
电压 - 供电：
2.375V ~ 2.625V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
48-VQFN（7x7）
描述：
IC CLK BUFFER 1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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