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CEG2108E
厂商型号

CEG2108E

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

494.5 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 CET-MOS Technology Corp.
企业简称

CET-MOS华瑞

中文名称

华瑞功率电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 11:22:00

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CEG2108E规格书详情

FEATURES

20V, 8.5A, RDS(ON) = 14mW @VGS = 10V.

RDS(ON) = 15mW @VGS = 4.5V.

Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TSSOP-8 for Surface Mount Package.

RoHS compliant.

RDS(ON) = 20mW @VGS = 2.5V.

RDS(ON) = 28mW @VGS = 1.8V.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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