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CD74ACT109M96	文件：412.14 Kbytes Page：14 Pages	丝印：ACT109M；Package：SOIC；DUAL J-K POSITIVE-EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOPS WITH CLEAR AND PRESET Inputs Are TTL-Voltage Compatible Speed of Bipolar F, AS, and S, With Significantly Reduced Power Consumption Balanced Propagation Delays ±24-mA Output Drive Current – Fanout to 15 F Devices SCR-Latchup-Resistant CMOS Process and Circuit Design Exceeds 2-kV ESD Protection Per MIL-STD-883, 文件：412.14 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CD74ACT109M96.A	文件：412.14 Kbytes Page：14 Pages	丝印：ACT109M；Package：SOIC；DUAL J-K POSITIVE-EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOPS WITH CLEAR AND PRESET Inputs Are TTL-Voltage Compatible Speed of Bipolar F, AS, and S, With Significantly Reduced Power Consumption Balanced Propagation Delays ±24-mA Output Drive Current – Fanout to 15 F Devices SCR-Latchup-Resistant CMOS Process and Circuit Design Exceeds 2-kV ESD Protection Per MIL-STD-883, 文件：412.14 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CD74ACT10M	文件：462.81 Kbytes Page：13 Pages	丝印：ACT10M；Package：SOIC；TRIPLE 3-INPUT POSITIVE-NAND GATES Inputs Are TTL-Voltage Compatible Speed of Bipolar F, AS, and S, With Significantly Reduced Power Consumption Balanced Propagation Delays ±24-mA Output Drive Current – Fanout to 15 F Devices SCR Latchup-Resistant CMOS Process and Circuit Design Exceeds 2-kV ESD Protection Per MIL-STD-883, 文件：462.81 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CD74ACT10M96	文件：462.81 Kbytes Page：13 Pages	丝印：ACT10M；Package：SOIC；TRIPLE 3-INPUT POSITIVE-NAND GATES Inputs Are TTL-Voltage Compatible Speed of Bipolar F, AS, and S, With Significantly Reduced Power Consumption Balanced Propagation Delays ±24-mA Output Drive Current – Fanout to 15 F Devices SCR Latchup-Resistant CMOS Process and Circuit Design Exceeds 2-kV ESD Protection Per MIL-STD-883, 文件：462.81 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CD74ACT10M96.A	文件：462.81 Kbytes Page：13 Pages	丝印：ACT10M；Package：SOIC；TRIPLE 3-INPUT POSITIVE-NAND GATES Inputs Are TTL-Voltage Compatible Speed of Bipolar F, AS, and S, With Significantly Reduced Power Consumption Balanced Propagation Delays ±24-mA Output Drive Current – Fanout to 15 F Devices SCR Latchup-Resistant CMOS Process and Circuit Design Exceeds 2-kV ESD Protection Per MIL-STD-883, 文件：462.81 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CD74ACT10_14	文件：806.69 Kbytes Page：12 Pages	TRIPLE 3-INPUT POSITIVE-NAND GATES 文件：806.69 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CD74ACT109	文件：228.31 Kbytes Page：8 Pages	Dual j-k Flip-Flop with Set and Reset 文件：228.31 Kbytes 页数：8 Pages	TI 德州仪器	TI
CD74ACT109	文件：337.77 Kbytes Page：10 Pages	DUAL J-K POSITIVE-EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOPS WITH CLEAR AND PRESET 文件：337.77 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI
CD74ACT109	文件：349.71 Kbytes Page：11 Pages	DUAL J-K POSITIVE-EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOPS WITH CLEAR AND PRESET 文件：349.71 Kbytes 页数：11 Pages	TI 德州仪器	TI
CD74ACT109E	文件：337.77 Kbytes Page：10 Pages	DUAL J-K POSITIVE-EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOPS WITH CLEAR AND PRESET 文件：337.77 Kbytes 页数：10 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Supply voltage (Min) (V)：
4.5
Supply voltage (Max) (V)：
5.5
Number of channels (#)：
3
Inputs per channel：
3
IOL (Max) (mA)：
24
IOH (Max) (mA)：
-24
Input type：
TTL-Compatible CMOS
Output type：
Push-Pull
Features：
Over-voltage tolerant inputs
Data rate (Max) (Mbps)：
90
Rating：
Catalog

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CD74ACT10供应商更新时间2025-10-12 17:06:00

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