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CA3060	文件：193.53 Kbytes Page：12 Pages	110kHz,OperationalTransconductanceAmplifierArray Description TheCA3060monolithicintegratedcircuitconsistsofanarrayofthreeindependentOperationalTransconductanceAmplifiers(seeNote).Thistypeofamplifierhasthegenericcharacteristicsofanoperationalvoltageamplifierwiththeexceptionthattheforwardgaincharacteristic	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
CA3060	文件：143.1 Kbytes Page：12 Pages	110kHz,OperationalTransconductanceAmplifierArray Description TheCA3060monolithicintegratedcircuitconsistsofanarrayofthreeindependentOperationalTransconductanceAmplifiers(seeNote).Thistypeofamplifierhasthegenericcharacteristicsofanoperationalvoltageamplifierwiththeexceptionthattheforwardgaincharacteristic	HARRIS HARRIS corporation	HARRIS
CBD3060LCT	文件：71.56 Kbytes Page：4 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBRX3060CT	文件：313.74 Kbytes Page：4 Pages	TrenchSchottkyBarrierRectifier	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
CC3060C-AZ	文件：127.87 Kbytes Page：3 Pages	3-phase3-line500VACAvailable5-150AForoutputlineonly	SOSHINSOSHIN 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
CEB3060	文件：413.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,105A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=8mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED3060	文件：397.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,75A,RDS(ON)=6.6mW@VGS=10V. RDS(ON)=9.5mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED3060	文件：617.19 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,75A,RDS(ON)=6.6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9.5mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM3060	文件：543.08 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,14A,RDS(ON)=7.8mW@VGS=10V. RDS(ON)=11.5mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM3060	文件：1.04453 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEM3060	文件：105.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,14A,RDS(ON)=7.8mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=11.5mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP3060	文件：413.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,105A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=8mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU3060	文件：397.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,75A,RDS(ON)=6.6mW@VGS=10V. RDS(ON)=9.5mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU3060	文件：993.67 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU3060	文件：617.19 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,75A,RDS(ON)=6.6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9.5mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEXPRESS-BW-N3060	文件：312.24 Kbytes Page：4 Pages	COMExpressCompactSizeType6Module	AdlinkAdvance Technologies AdlinkAdvance Technologies	Adlink
CHM3060JPT	文件：380.73 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT14Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperHighdensitycelldesignforextremelylowRDS(ON). Highsaturationcurrentcapability. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. Otherswitchingapplications.	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
CRO3060A	文件：48.22 Kbytes Page：2 Pages	LOWCOST-HIGHPERFORMANCEVOLTAGECONTROLLEDOSCILLATOR	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
CRO3060A	文件：85.05 Kbytes Page：2 Pages	Voltage-ControlledOscillatorSurfaceMountModule	ZCOMM Z-Communications, Inc	ZCOMM
CS3060CT-A	文件：468.44 Kbytes Page：3 Pages	SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier

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详细参数

型号：
CA3060E
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
OTA ARRAY 16 PDIP COM - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	CA3060E	HARRIS	19+	DIP	19113		询价
深圳权泰科技有限公司	CA3060E	INTERSIL	21+	DIP	8080	原装现货实单必成只做原装！	询价
深圳市一线半导体有限公司	CA3060E	HAR	98+	DIP	28		询价
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深圳市鼎盛源芯科技有限公司	CA3060E	harris	16+	原厂封装	10000	全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询	询价
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更多CA3060E供应商更新时间2024-6-14 13:30:00

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