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CEM3060	文件：105.48 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ■ 30V, 14A, RDS(ON) = 7.8mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 11.5mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Lead free product is acquired. ■ Surface mount Package. 文件：105.48 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET
CEM3060	文件：543.08 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 14A, RDS(ON) = 7.8mW @VGS = 10V. RDS(ON) = 11.5mW @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. Lead free product is acquired. 文件：543.08 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEM3060	文件：1.04453 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.04453 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
CEM3060	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET	CET 华瑞	CET
CEM3060_07	文件：423.68 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：423.68 Kbytes 页数：4 Pages	CET 华瑞	CET

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