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CA3060E	文件：193.53 Kbytes Page：12 Pages	110kHz, Operational Transconductance Amplifier Array Description TheCA3060monolithicintegratedcircuitconsistsofanarrayofthreeindependentOperationalTransconductanceAmplifiers(seeNote).Thistypeofamplifierhasthegenericcharacteristicsofanoperationalvoltageamplifierwiththeexceptionthattheforwardgaincharacteristic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
CA3060E	文件：143.1 Kbytes Page：12 Pages	110kHz, Operational Transconductance Amplifier Array Description TheCA3060monolithicintegratedcircuitconsistsofanarrayofthreeindependentOperationalTransconductanceAmplifiers(seeNote).Thistypeofamplifierhasthegenericcharacteristicsofanoperationalvoltageamplifierwiththeexceptionthattheforwardgaincharacteristic	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
CBD3060LCT	文件：71.56 Kbytes Page：4 Pages	LOWVFSCHOTTKYRECTIFIER	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
CBRX3060CT	文件：313.74 Kbytes Page：4 Pages	TrenchSchottkyBarrierRectifier	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
CC3060C-AZ	文件：127.87 Kbytes Page：3 Pages	3-phase3-line500VACAvailable5-150AForoutputlineonly	SOSHINSoshin electric Co., Ltd. 双信电机双信电机株式会社	SOSHIN
CEB3060	文件：413.92 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,105A,RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=8mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED3060	文件：397.84 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,75A,RDS(ON)=6.6mW@VGS=10V. RDS(ON)=9.5mW@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED3060	文件：617.19 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,75A,RDS(ON)=6.6mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=9.5mW@VGS=4.5V. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3060	文件：105.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,14A,RDS(ON)=7.8mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=11.5mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■SurfacemountPackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM3060	文件：1.04453 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

详细参数

型号：
CA3060E
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
OTA ARRAY 16 PDIP COM - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市金华微盛电子有限公司	CA3060E	HARRIS	19+	DIP	19113		询价
深圳市一线半导体有限公司	CA3060E	HAR	24+	DIP	28		询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	CA3060E	RCA	23+	D7	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	CA3060E	INTERSIL	1802+	DIP16	6528	只做原装正品现货,或订货假一赔十!	询价
深圳市鼎盛源芯科技有限公司	CA3060E	harris	16+	原厂封装	10000	全新原装正品,代理优势渠道供应,欢迎来电咨询	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	CA3060E	INTERSI	24+	DIP16	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	CA3060E	INTERSIL	23+	DIP16	30000	原装现货,假一赔十.	询价
深圳市冠亿通科技有限公司	CA3060E	Harris	25+		25000	原厂原包深圳现货主打品牌假一赔百可开票!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	CA3060E	HAR	23+	DIP	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CA3060E	HARRIS/哈里斯	23+	DIP	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价

更多CA3060E供应商更新时间2025-6-8 16:04:00

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