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TMUX8109PWR	文件：2.47399 Mbytes Page：43 Pages	TMUX810x100-V,FlatRON,Single8:1andDual4:1MultiplexerswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricsacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:40pA •Lowonresistanceflatness:0.5	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TMUX8109RPWR	文件：2.47399 Mbytes Page：43 Pages	TMUX810x100-V,FlatRON,Single8:1andDual4:1MultiplexerswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricsacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:40pA •Lowonresistanceflatness:0.5	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TMUX8109RUMR	文件：2.47399 Mbytes Page：43 Pages	TMUX810x100-V,FlatRON,Single8:1andDual4:1MultiplexerswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricsacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:40pA •Lowonresistanceflatness:0.5	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TMUX8109RUMR	文件：2.50508 Mbytes Page：43 Pages	TMUX810x100-V,FlatRON,Single8:1andDual4:1MultiplexerswithLatch-UpImmunityand1.8-VLogic 1Features •Highsupplyvoltagecapable: –Dualsupply:±10Vto±50V –Singlesupply:10Vto100V –Asymmetricdualsupplyoperation •Consistentparametricsacrosssupplyvoltages •Latch-upimmune •Lowcrosstalk:–110dB •Lowinputleakage:40pA •Lowonresistanceflatness:0.5	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TPC8109	文件：248.5 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8109	文件：240.27 Kbytes Page：4 Pages	FIELDEFFECTTRANSISTORSILICONPCHANNELMOSTYPE LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=14mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=19S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10µA(ma	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8109	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8109	文件：238.62 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSType(U-MOS??	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UPC8109T	文件：112.58 Kbytes Page：4 Pages	3V,SILICONMMICFREQUENCYUP-CONVERTER DESCRIPTION TheUPC8106TandUPC8109TareL-BandFrequencyUpConvertersmanufacturedusingtheNESATIIIMMICprocess.TheUPC8106TwasdesignedforlowdistortionwhiletheUPC8109Twasdesignedforlowcurrentconsumption.Operationfroma3voltsupplyvoltagemakesthisdeviceidealforhandh	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8109TB	文件：121.05 Kbytes Page：8 Pages	SILICONRFICHI-IP3FREQUENCYUP-CONVERTERFORWIRELESSTRANSCEIVER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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