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C1815	文件：687.28 Kbytes Page：1 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors 文件：687.28 Kbytes 页数：1 Pages	DAYA 大亚电器	DAYA
C1815	文件：1.07153 Mbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR NPN 文件：1.07153 Mbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
C1815	文件：836.39 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) 文件：836.39 Kbytes 页数：2 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
2SC1815	文件：212.87 Kbytes Page：3 Pages	丝印：C1815；Package：TO-92；Silicon NPN Epitaxail Type(for Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications) Audio Frequency Voltage Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications • High breakdown voltage, high current capability : VCEO = 50 V (min), IC = 150 mA (max) • Excellent linearity of hFE : hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) 文件：212.87 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：602.02 Kbytes Page：4 Pages	丝印：C1815；Package：TO-92；Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications • High voltage and high current: VCEO = 50 V (min), IC = 150 mA (max) • Excellent hFE linearity: hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 ( 文件：602.02 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：279.37 Kbytes Page：4 Pages	丝印：C1815；Package：TO-92；Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Audio Frequency Voltage Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications • High breakdown voltage, high current capability : VCEO = 50 V (min), IC = 150 mA (max) • Excellent linearity of hFE : hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) 文件：279.37 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：256.029 Kbytes Page：4 Pages	丝印：C1815；Package：TO-92；TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency Voltage Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications • High breakdown voltage, high current capability : VCEO = 50 V (min), IC = 150 mA (max) • Excellent linearity of hFE : hFE (2) = 100 (typ.) at VCE = 6 V, IC = 150 mA : hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) 文件：256.029 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：279.37 Kbytes Page：4 Pages	丝印：C1815；Package：TO-92；Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications 文件：279.37 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
2SC1815	文件：142.85 Kbytes Page：4 Pages	丝印：C1815；Package：TO-92；Audio Frequency Voltage Amplifier Applications Low Noise Amplifier Applications 文件：142.85 Kbytes 页数：4 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
C1815	文件：300 bytes Page：1 Pages	Audio Frequency Amplifier & High Frequency OSC	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
C1815
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_宽频带放大（A）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.15A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
A-11
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.15
wtest：
0.4

技术参数

PCM(W)：
0.2
IC(A)：
0.15
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
50
VEBO(V)：
5
hFE/Min：
130
hFE/Max：
400
hFE@VCE(V)：
6
hFE@IC(A)：
0.002
VCE/sat(V)：
0.25
VCE/sat@IC(A)：
0.1
VCE/sat@IB(A)：
0.01
PACKAGE：
SOT-23

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