BUZ901P数据手册TT Electronics中文资料规格书
BUZ901P规格书详情
描述 Description
The BUZ901P is a 200V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET with high speed switching and integral protection diode designed for use in audio applications.
特性 Features
·High energy rating
·50ns Turn-off time
·100ns Turn-on time
应用 Application
音频
技术参数
- 制造商编号
：BUZ901P
- 生产厂家
：TT Electronics
- 在电阻RDS（上）:
：1.5ohm
- 电压 @ Rds测量:
：-
- 阈值电压 Vgs:
：1.5V
- 功耗 Pd:
：125W
- 晶体管封装类型:
：TO-247
- 针脚数:
：3引脚
- 工作温度最高值:
：150°C
- 产品范围:
：-
- 汽车质量标准:
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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