BUZ900P数据手册TT Electronics中文资料规格书
BUZ900P规格书详情
描述 Description
The BUZ900P is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET offers 160V drain source voltage and 8A continuous drain current.
特性 Features
·High speed switching
·Semefab designed and diffused
·High voltage
·High energy rating
·Integral protection diode
·BUZ905P complimentary P-channel
应用 Application
电源管理, 音频, 工业
技术参数
- 制造商编号
:BUZ900P
- 生产厂家
:TT Electronics
- 在电阻RDS(上):
:1.5ohm
- 电压 @ Rds测量:
:-
- 阈值电压 Vgs:
:1.5V
- 功耗 Pd:
:125W
- 晶体管封装类型:
:TO-247
- 针脚数:
:3引脚
- 工作温度最高值:
:150°C
- 产品范围:
:-
- 汽车质量标准:
:-
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC |
23+ |
SOP |
12000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON丨英飞凌 |
20+ |
TO-220 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
PHI/SIE |
1738+ |
TO-220 |
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24+ |
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23+ |
TO-220 |
10000 |
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西门子 |
06+ |
TO-220 |
2000 |
全新原装 绝对有货 |
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LM |
17+ |
NA |
10000 |
只做全新进口原装,现货库存 |
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TEC |
2025+ |
TO-3P |
4325 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
询价 | ||
24+ |
8866 |
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SML |
23+ |
TO-3 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |