BUZ900P中文资料BUZ900P - 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 160 V, 1.5 ohm, 1.5 V数据手册TT Electronics规格书
BUZ900P规格书详情
描述 Description
The BUZ900P is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET offers 160V drain source voltage and 8A continuous drain current.
特性 Features
·High speed switching
·Semefab designed and diffused
·High voltage
·High energy rating
·Integral protection diode
·BUZ905P complimentary P-channel
应用 Application
电源管理, 音频, 工业
技术参数
- 制造商编号
：BUZ900P
- 生产厂家
：TT Electronics
- 在电阻RDS（上）:
：1.5ohm
- 电压 @ Rds测量:
：-
- 阈值电压 Vgs:
：1.5V
- 功耗 Pd:
：125W
- 晶体管封装类型:
：TO-247
- 针脚数:
：3引脚
- 工作温度最高值:
：150°C
- 产品范围:
：-
- 汽车质量标准:
：-
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