BUZ900D中文资料BUZ900D - 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 160 V, 750 mohm, 1.5 V数据手册TT Electronics规格书
BUZ900D规格书详情
描述 Description
The BUZ900D is a 160V N-channel Power MOSFET for audio applications. It features integral protection diode and enhancement mode.
特性 Features
·High speed switching
·Semefab designed and diffused
·High voltage
·High energy rating
·±14V Gate to source voltage
·16A Body drain diode current
·0.5°C/W Thermal resistance, junction to case
应用 Application
音频
技术参数
- 制造商编号
：BUZ900D
- 生产厂家
：TT Electronics
- 在电阻RDS（上）:
：750mohm
- 电压 @ Rds测量:
：-
- 阈值电压 Vgs:
：1.5V
- 功耗 Pd:
：250W
- 晶体管封装类型:
：TO-3
- 针脚数:
：2引脚
- 工作温度最高值:
：150°C
- 产品范围:
：-
- 汽车质量标准:
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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