BUZ901中文资料BUZ901 - 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 200 V, 1.5 ohm, 1.5 V数据手册TT Electronics规格书
BUZ901规格书详情
描述 Description
The BUZ901 is a 200V N-channel Power MOSFET for audio applications. It features integral protection diode and enhancement mode.
特性 Features
·High speed switching
·Semefab designed and diffused
·High voltage
·High energy rating
·±14V Gate to source voltage
·8A Body drain diode current
·1°C/W Thermal resistance, junction to case
应用 Application
音频
技术参数
- 制造商编号
：BUZ901
- 生产厂家
：TT Electronics
- 在电阻RDS（上）:
：1.5ohm
- 电压 @ Rds测量:
：-
- 阈值电压 Vgs:
：1.5V
- 功耗 Pd:
：125W
- 晶体管封装类型:
：TO-3
- 针脚数:
：2引脚
- 工作温度最高值:
：150°C
- 产品范围:
：-
- 汽车质量标准:
：-
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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