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BUV21	文件：139.76 Kbytes Page：4 Pages	SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor SWITCHMODE™ Series NPN Silicon Power Transistor This device is designed for high speed, high current, high power applications. Features • High DC Current Gain: hFE min = 20 at IC = 12 A • Low VCE(sat), VCE(sat) max = 0.6 V at IC = 8 A • Very Fast Switching Times: 文件：139.76 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUV21	文件：139.76 Kbytes Page：4 Pages	40 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 200 VOLTS 250 WATTS SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor . . . designed for high speed, high current, high power applications. • High DC current gain: hFE min. = 20 at IC = 12 A • Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 8 A Very fast switching times: TF max. = 0.4 µs at IC = 25 A 文件：139.76 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BUV21	文件：119.72 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High DC current gain@IC=12A ·Fast switching times ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for high current,high speed and high power applications. 文件：119.72 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BUV21	文件：131.21 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High DC current gain@IC=12A ·Fast switching times ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for high current, high speed and high power applications. 文件：131.21 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUV21	文件：121.33 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：121.33 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BUV21	文件：11.82 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：11.82 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BUV21	文件：57.17 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Low Frequency High Power Switching Transistor 文件：57.17 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BUV21	文件：70.56 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor 文件：70.56 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUV21	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor 文件：114.65 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUV21G	文件：222.94 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 200V(Min) · Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat): 0.6V(Max) @IC= 12A APPLICATIONS · Designed for high current, high speed, high power applications 文件：222.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.6
IC Cont. (A)：
40
VCEO Min (V)：
200
VCBO (V)：
250
VEBO (V)：
7
VBE(sat) (V)：
1.5
hFE Min：
20
hFE Max：
60
fT Min (MHz)：
8
PTM Max (W)：
250
Package Type：
TO-204-2/TO-3-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市星辰微电科技有限公司	BUV21	ON	22+	TO-220-3	50000	ON二三极管全系列在售	询价

更多BUV21供应商更新时间2025-12-9 16:30:00

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