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BUV21分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BUV21

参数属性

BUV21 封装/外壳为TO-204AE;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 200V 40A TO204

功能描述

40 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 200 VOLTS 250 WATTS

封装外壳

TO-204AE

文件大小

139.76 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

Motorola

中文名称

摩托罗拉

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-11 23:00:00

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BUV21规格书详情

SWITCHMODE Series

NPN Silicon Power Transistor

. . . designed for high speed, high current, high power applications.

• High DC current gain:

hFE min. = 20 at IC = 12 A

• Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 8 A

Very fast switching times:

TF max. = 0.4 µs at IC = 25 A

产品属性

  • 产品编号:

    BUV21G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    SWITCHMODE™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 3A,25A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    3mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 12A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    8MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-204AE

  • 供应商器件封装:

    TO-204(TO-3)

  • 描述:

    TRANS NPN 200V 40A TO204

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
24+
TO204
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