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BUV20分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BUV20

参数属性

BUV20 封装/外壳为TO-204AA,TO-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 125V 50A TO3

功能描述

50 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 125 VOLTS 250 WATTS

封装外壳

TO-204AA,TO-3

文件大小

142.88 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

MOTOROLA

中文名称

摩托罗拉

网址

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数据手册

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更新时间

2026-1-27 23:00:00

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BUV20规格书详情

SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor

. . . designed for high speed, high current, high power applications.

• High DC current gain:

hFE min = 20 at IC = 25 A

hFE min = 10 at IC = 50 A

• Low VCE(sat):

VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 25 A

VCE(sat) max. = 1.2 V at IC = 50 A

• Very fast switching times:

TF = 0.25 µs at IC = 50 A

产品属性

  • 产品编号:

    BUV20

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 5A,50A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    3mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 25A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    8MHz

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3

  • 描述:

    TRANS NPN 125V 50A TO3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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