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BUV20	文件：142.88 Kbytes Page：4 Pages	SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor SWITCHMODE™ Series NPN Silicon Power Transistor . . . designed for high speed, high current, high power applications. • High DC current gain: hFE min = 20 at IC = 25 A = 10 at IC = 50 A • Low VCE(sat): VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 25 A = 0. 文件：142.88 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUV20	文件：142.88 Kbytes Page：4 Pages	50 AMPERES NPN SILICON POWER METAL TRANSISTOR 125 VOLTS 250 WATTS SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor . . . designed for high speed, high current, high power applications. • High DC current gain: hFE min = 20 at IC = 25 A hFE min = 10 at IC = 50 A • Low VCE(sat): VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 25 A VCE(sat) max. = 1 文件：142.88 Kbytes 页数：4 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BUV20	文件：194.26 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.6V(Max.) @IC= 25A • High DC Current Gain- : hFE= 20(Min.)@ IC= 25A • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for high speed, high current, high power applications. 文件：194.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUV20	文件：75.22 Kbytes Page：2 Pages	NPN MULTI - EPITAXIAL POWER TRANSISTOR FEATURES • HIGH CURRENT • FAST SWITCHING • HIGH RELIABILITY APPLICATIONS • Industrial Equipment 文件：75.22 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BUV20	文件：41.62 Kbytes Page：4 Pages	HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The BUV20 is silicon Multiepitaxial Planar NPN transistor mounted in jedec TO-3 metal case. It is intended for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. ■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE ■ NPN TRANSISTOR ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ FAST 文件：41.62 Kbytes 页数：4 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUV20	文件：479.34 Kbytes Page：3 Pages	SILICON MULTI-EPITAXIAL NPN TRANSISTOR FEATURES • HIGH CURRENT • FAST SWITCHING • HIGH RELIABILITY APPLICATIONS • Industrial Equipment 文件：479.34 Kbytes 页数：3 Pages	TTELEC	TTELEC
BUV20	文件：18.81 Kbytes Page：2 Pages	NPN MULTI - EPITAXIAL POWER TRANSISTOR 文件：18.81 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BUV20	文件：57.17 Kbytes Page：1 Pages	NPN Silicon Low Frequency High Power Switching Transistor 文件：57.17 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BUV20	文件：62.85 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor 文件：62.85 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUV20D	文件：62.85 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor 文件：62.85 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
BUV20
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 5A，50A
电流 - 集电极截止（最大值）：
3mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 25A，2V
频率 - 跃迁：
8MHz
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
供应商器件封装：
TO-3
描述：
TRANS NPN 125V 50A TO3

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更多BUV20供应商更新时间2025-12-12 16:30:00

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