BUV20分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BUV20 |
| 参数属性 | BUV20 封装/外壳为TO-204AA，TO-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 125V 50A TO3 |
| 功能描述 | SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 文件大小 |
142.88 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 11:34:00 |
| 人工找货 | BUV20价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BUV20规格书详情
SWITCHMODE™ Series NPN Silicon Power Transistor
. . . designed for high speed, high current, high power applications.
• High DC current gain:
hFE min = 20 at IC = 25 A
= 10 at IC = 50 A
• Low VCE(sat):
VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 25 A
= 0.9 V at IC = 50 A
• Very fast switching times:
TF = 0.25 µs at IC = 50 A
产品属性
- 产品编号：
BUV20
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 5A，50A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
3mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 25A，2V
- 频率 - 跃迁：
8MHz
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-3
- 描述：
TRANS NPN 125V 50A TO3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MAXIM |
23+ |
NA |
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询价 | ||
STM |
23+ |
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询价 | ||||
STM |
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SMD |
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询价 | ||
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TO-3 |
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