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BUV21_06	文件：70.56 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor 文件：70.56 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUV21_13	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor 文件：114.65 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUV21G	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor 文件：114.65 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUV21G	文件：70.56 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor 文件：70.56 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BUV21N	文件：15.51 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 文件：15.51 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BUV21	文件：300 bytes Page：1 Pages	150W NPN High Power BJT Transistor This BJT is packaged in TO-3 package.\n\n Available as High Reliability device per MIL-PRF-19500 indicate –HR suffix after the part number. Contact for -HR flow. Add \"PBF\" suffix for Pb-free lead finish.	Digitron	Digitron
BUV21	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 200V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray	NJS	NJS
BUV21	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics
BUV21G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-204AE；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 200V 40A TO204	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Status：
Active
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
0.6
IC Cont. (A)：
40
VCEO Min (V)：
200
VCBO (V)：
250
VEBO (V)：
7
VBE(sat) (V)：
1.5
hFE Min：
20
hFE Max：
60
fT Min (MHz)：
8
PTM Max (W)：
250
Package Type：
TO-204-2/TO-3-2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市安富世纪电子有限公司	BUV21	MOT/ST	23+	TO-3	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价

更多BUV21供应商更新时间2026-1-27 16:30:00

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