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BUV21数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BUV21

参数属性

BUV21 封装/外壳为TO-204AE;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 200V 40A TO204

功能描述

Trans GP BJT NPN 200V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-204 Tray

封装外壳

TO-204AE

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-9 12:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BUV21

  • 生产厂家

    :NJS

  • Configuration

    :Single

  • Material

    :Si

  • Maximum Collector Base Voltage

    :250V

  • Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

    :0.6@1.2A@12A1.5@3A@25A

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :200V

  • Maximum DC Collector Current

    :40A

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :7V

  • Maximum Operating Temperature

    :200°C

  • Maximum Power Dissipation

    :250000mW

  • Maximum Transition Frequency

    :8(Min)MHz

  • Type

    :NPN

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