BUV20中文资料HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
BUV20 |
| 参数属性 | BUV20 封装/外壳为TO-204AA，TO-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 125V 50A TO3 |
| 功能描述 | HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-204AA，TO-3 |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-2-9 23:00:00 |
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BUV20规格书详情
简介
BUV20属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ST制造生产的BUV20晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
BUV20
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 5A，50A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
3mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 25A，2V
- 频率 - 跃迁：
8MHz
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
TO-204AA，TO-3
- 供应商器件封装：
TO-3
- 描述：
TRANS NPN 125V 50A TO3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
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