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BUT30V数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BUT30V

参数属性

BUT30V 封装/外壳为ISOTOP;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 125V 100A ISOTOP

功能描述

NPN TRANSISTOR POWER MODULE
TRANS NPN 125V 100A ISOTOP

封装外壳

ISOTOP

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-9 16:32:00

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BUT30V规格书详情

特性 Features

• LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE
• NPN TRANSISTOR
• VERY LOW Rth JUNCTION CASE
• HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE
• FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING
• SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS

简介

BUT30V属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BUT30V晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BUT30V

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :ISOTOP

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :200

  • Collector Current_abs_max(A)

    :100

  • Test Condition for hFE (IC)

    :100

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :5

  • VCE(sat)_max(V)

    :0.9

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :100

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :10

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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