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BUT30V

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Hih Current Power Bipolar Module ·Very Low Rth Junction Case APPLICATIONS ·Motor contro ·SMPS & UPS

文件:226.48 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BUT30V

NPN TRANSISTOR POWER MODULE

NPN TRANSISTOR POWER MODULE ■ NPN TRANSISTOR ■ HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE ■ VERY LOW Rth JUNCTION CASE ■ SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS ■ FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING ■ LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE APPLICATIONS: ■ MOTOR CONTROL ■ SMPS & U

文件:105.86 Kbytes 页数:7 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUT30V

NPN TRANSISTOR POWER MODULE

文件:340.41 Kbytes 页数:7 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUT30V_03

NPN TRANSISTOR POWER MODULE

文件:340.41 Kbytes 页数:7 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUT30V

NPN TRANSISTOR POWER MODULE

• LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE\n• NPN TRANSISTOR\n• VERY LOW Rth JUNCTION CASE• HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE\n• FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING\n• SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS;

ST

意法半导体

BUT30V

Package:ISOTOP;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 125V 100A ISOTOP

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    BUT30V

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    900mV @ 10A,100A

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    27 @ 100A,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    ISOTOP

  • 供应商器件封装:

    ISOTOP

  • 描述:

    TRANS NPN 125V 100A ISOTOP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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