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BUT30V分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BUT30V
厂商型号

BUT30V

参数属性

BUT30V 封装/外壳为ISOTOP;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 125V 100A ISOTOP

功能描述

NPN TRANSISTOR POWER MODULE
TRANS NPN 125V 100A ISOTOP

文件大小

105.86 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体(ST)集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-26 16:12:00

BUT30V规格书详情

NPN TRANSISTOR POWER MODULE

■ NPN TRANSISTOR

■ HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE

■ VERY LOW Rth JUNCTION CASE

■ SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS

■ FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING

■ LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE

APPLICATIONS:

■ MOTOR CONTROL

■ SMPS & UPS

■ WELDING EQUIPMENT

BUT30V属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。意法半导体(ST)集团制造生产的BUT30V晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    BUT30V

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    900mV @ 10A,100A

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    27 @ 100A,5V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    ISOTOP

  • 供应商器件封装:

    ISOTOP

  • 描述:

    TRANS NPN 125V 100A ISOTOP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
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