BUT11AF数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
BUT11AF |
| 参数属性 | BUT11AF 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 450V 5A TO220F-3 |
| 功能描述 | 10 A，450 V NPN 功率双极晶体管 |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-9 23:01:00 |
| 人工找货 | BUT11AF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BUT11AF规格书详情
描述 Description
10 Amp, 450 V NPN Power Bipolar Transistor
特性 Features
• Low Base Drive Requirements
• Isolated Overmold Package
• Improved System Efficiency
• No Isolating Washers Required
• Reduced System Cost
简介
BUT11AF属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BUT11AF晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：BUT11AF
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
：1.5
- IC Cont. (A)
：5
- VCEO Min (V)
：450
- VCBO (V)
：1000
- VEBO (V)
：9
- VBE(sat) (V)
：1.3
- PTM Max (W)
：40
- Package Type
：TO-220-3 FullPak
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
11918 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO220 |
7350 |
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恩XP |
2016+ |
TO-220 |
3500 |
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PHI |
24+ |
TO220AB |
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TO-220F |
12817 |
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PHI |
9415/0022/9311/9313 |
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TO220F |
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11+ |
6875 |
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