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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市科恒伟业电子有限公司

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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安凌芯科（深圳）电子有限公司

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安凌芯科只做原装,原盒原包可申请送样,可开13%原型号增值税专票。

深圳市科翼源电子有限公司

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深圳市纳艾斯科技有限公司

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深圳市力拓辉电子有限公司

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FSCTO-220

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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

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深圳市坤融电子科技有限公司

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深圳市天芯威科技有限公司

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ON/安森美

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深圳深宇韬电子科技有限公司

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BUT11ATU

INFINEONTSSOP14

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优势原装现货假一赔十

深圳市卓越微芯电子有限公司

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BUT11TU

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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemi(安森美)TO-220-3

11543

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onsemiTO-220-3

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正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市威雅利发展有限公司

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BUT11

SECTO220

50

0605+

一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市振宏微科技有限公司

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PHILTO-220

5000

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专做原装正品,假一罚百!

深圳市威尔健半导体有限公司

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BUT11

SECTO-220

33

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深圳市恒达亿科技有限公司

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PHTOP220

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全新原装、诚信经营、公司现货销售

深圳市一线半导体有限公司

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BUT11

1190

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深圳市能元时代电子有限公司

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BUT11

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BUT11A价格：￥2.3940品牌：Fairchild

生产厂家品牌为Fairchild的BUT11A多少钱，想知道BUT11A价格是多少？参考价：￥2.3940。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BUT11A批发价格及采购报价，BUT11A销售排行榜及行情走势，BUT11A报价。

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BUT11A功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BUT11A,127功能描述:两极晶体管 - BJT BUT11A/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BUT11A/B功能描述:TRANSISTOR HOCHSPANNUNG BIPOLAR

BUT11A_04制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

BUT11AF制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY TRANSISTOR SOT-186 NP 1KV 5A 40W BCE

BUT11AF/D功能描述:Full Pak High Voltage NPN Power Transistor

BUT11AFI功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220

BUT11AFTU功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BUT11AI,127功能描述:两极晶体管 - BJT BUT11AI/SOT78/RAILH// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    BUT11

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    散装

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    1.5V @ 600mA，3A

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    1mA

  • 工作温度：

    150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-220-3

  • 供应商器件封装：

    TO-220-3

  • 描述：

    TRANS NPN 400V 5A TO220-3

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