BUV21分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BUV21 |
| 参数属性 | BUV21 封装/外壳为TO-204AE；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 200V 40A TO204 |
| 功能描述 | SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-204AE |
| 文件大小 |
139.76 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-27 23:00:00 |
| 人工找货 | BUV21价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BUV21规格书详情
BUV21属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的BUV21晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
SWITCHMODE™ Series NPN Silicon Power Transistor
This device is designed for high speed, high current, high power applications.
特性 Features
• High DC Current Gain:
hFE min = 20 at IC = 12 A
• Low VCE(sat), VCE(sat)
max = 0.6 V at IC = 8 A
• Very Fast Switching Times:
TF max = 0.4 μs at IC = 25 A
• These are Pb−Free Devices*
产品属性
更多- 产品编号：
BUV21G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
SWITCHMODE™
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 3A，25A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
3mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 12A，2V
- 频率 - 跃迁：
8MHz
- 工作温度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-204AE
- 供应商器件封装：
TO-204（TO-3）
- 描述：
TRANS NPN 200V 40A TO204
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
25+ |
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