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BUT30	文件：105.86 Kbytes Page：7 Pages	NPN TRANSISTOR POWER MODULE NPN TRANSISTOR POWER MODULE ■ NPN TRANSISTOR ■ HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE ■ VERY LOW Rth JUNCTION CASE ■ SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS ■ FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING ■ LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE APPLICATIONS: ■ MOTOR CONTROL ■ SMPS & U 文件：105.86 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUT30V	文件：226.48 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Hih Current Power Bipolar Module ·Very Low Rth Junction Case APPLICATIONS ·Motor contro ·SMPS & UPS 文件：226.48 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BUT30V	文件：105.86 Kbytes Page：7 Pages	NPN TRANSISTOR POWER MODULE NPN TRANSISTOR POWER MODULE ■ NPN TRANSISTOR ■ HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE ■ VERY LOW Rth JUNCTION CASE ■ SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS ■ FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING ■ LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE APPLICATIONS: ■ MOTOR CONTROL ■ SMPS & U 文件：105.86 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUT30V	文件：340.41 Kbytes Page：7 Pages	NPN TRANSISTOR POWER MODULE 文件：340.41 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUT30V_03	文件：340.41 Kbytes Page：7 Pages	NPN TRANSISTOR POWER MODULE 文件：340.41 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUT30	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN TRANSISTOR POWER MODULE	ST 意法半导体	ST
BUT30V	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN TRANSISTOR POWER MODULE • LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE\n• NPN TRANSISTOR\n• VERY LOW Rth JUNCTION CASE• HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE\n• FULLY INSULATED PACKAGE (U.L. COMPLIANT) FOR EASY MOUNTING\n• SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS;	ST 意法半导体	ST
BUT30V	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：ISOTOP；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 125V 100A ISOTOP	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Package：
ISOTOP
Grade：
Industrial
Transistor Polarity：
NPN
Collector-Base Voltage_max(V)：
200
Collector Current_abs_max(A)：
100
Test Condition for hFE (IC)：
100
Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)：
5
VCE(sat)_max(V)：
0.9
Test Condition for VCE(sat) - IC：
100
Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)：
10

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