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BULK128 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design 文件：83.21 Kbytes 页数：7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
BULK128 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：219.98 Kbytes 页数：7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
BULK128 | High voltage fast-switching NPN power transistor 文件：225.08 Kbytes 页数：11 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
BULK128 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | ST 意法半导体 | ST | |
BULK128 | Package：SOT-82；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN 400V 4A SOT82-3 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design 文件：83.21 Kbytes 页数：7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR DESCRIPTION The device is manufactured using high voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability. It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA. The device is design 文件：216.86 Kbytes 页数：7 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
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High voltage fast-switching NPN power transistor 文件：225.08 Kbytes 页数：11 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR | ST 意法半导体 | ST |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-N+Di
- 性质：
开关管 （S）_功率放大 （L）
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
700V
- 最大电流允许值：
4A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
55W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-21
- vtest：
700
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
55
产品属性
- 产品编号：
BULK128
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 1A，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
250µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
14 @ 2A，5V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
SOT-82
- 供应商器件封装：
SOT-82-3
- 描述：
TRANS NPN 400V 4A SOT82-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-126 |
16000 |
询价 | |||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | |||
STMicroelectronics |
2022+ |
SOT-82-3 |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
ST |
23+ |
SOT-82-3 |
3526 |
正品原装货价格低 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
SOT-82 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ST |
24+ |
TO-126 |
6000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
ST |
25+ |
TO-126 |
16900 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
ST |
26+ |
TO-126 |
60000 |
只有原装 可配单 |
询价 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
21000 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 |
