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BUR51

HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR

DESCRIPTION The BUR51 is a silicon multiepitaxial planar NPN transistor in modified Jedec TO-3 metal case, intented for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. ■ SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE ■ NPN TRANSISTOR

文件:65.3 Kbytes 页数:4 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

BUR51

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

文件:15.53 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

BUR51S

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

文件:15.2 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

BUR51

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

BUR51

Package:TO-204AA,TO-3;包装:剪切带(CT)带盒(TB) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 200V 60A TO3

STMICROELECTRONICS

意法半导体

晶体管资料

  • 型号:

    BUR51

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    开关管 (S)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    300V

  • 最大电流允许值:

    60A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    2

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    350W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    E-44

  • vtest:

    300

  • htest:

    999900

  • atest:

    60

  • wtest:

    350

产品属性

  • 产品编号:

    BUR51

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 5A,50A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1mA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    20 @ 5A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    16MHz

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    底座安装

  • 封装/外壳:

    TO-204AA,TO-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3

  • 描述:

    TRANS NPN 200V 60A TO3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
STMicroelectronics
25+
N/A
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
询价
24+
TO-3
10000
全新
询价
ST
24+
TO-3
200
原装现货假一罚十
询价
STM
23+
140
询价
MOTOROLA
2013
CAN
20
全新
询价
22+
NA
3000
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
询价
STMicroelectronics
2022+
TO-3
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价
ST/ON
23+
TO-3
7300
专注配单,只做原装进口现货
询价
ST(意法)
25+
封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
询价
STMicroelectronics
25+
N/A
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
询价
更多BUR51供应商 更新时间2026-4-17 10:11:00