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BUK9880-55	文件：346.58 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 2.Featuresandbenefits •AEC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK9880-55	文件：68.28 Kbytes Page：9 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotection.Itisintendedforuseinautomotiveandgeneralpurp	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUK9880-55A	文件：740.57 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 2.Featuresandbenefits •Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK9880-55A	文件：96.6 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.ThisproducthasbeendesignedandqualifiedtotheappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. Featuresandbenefits •Lowco	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BUK9880-55A	文件：321.6 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOSlogiclevelFET Description N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology,featuringverylowon-stateresistance. Productavailability: BUK9880-55AinSOT223(SC-73). Features ■TrenchMOS™technology ■Q101compliant ■150°Crated	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUK9880-55CU	文件：740.57 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 2.Featuresandbenefits •Low	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BUK9880-55CU	文件：346.58 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSlogiclevelFET 1.Generaldescription LogiclevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 2.Featuresandbenefits •AEC	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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