| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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7年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7748 |
24+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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8年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
240 |
118 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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16年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
67500 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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13年
留言
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INFINEOTO-220 |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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6年
留言
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SIEMENS/西门子TO-220 |
5651 |
23+ |
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SIEMENS西门子TO-220 |
890000 |
26+ |
一级总代理商原厂原装大批量现货 一站式服务 |
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2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
26800 |
2526+ |
只做原装正品,为客户做到零风险 |
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Infineon(英飞凌)NA |
18000 |
26+ |
原装 |
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11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
26800 |
2223+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
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1年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
16800 |
26+ |
原装，现货 终端客户可以月结 |
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10年
留言
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SOT263NA |
15659 |
25+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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4年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7000 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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1年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20000 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价！ |
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13年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
20094 |
26+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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6年
留言
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InfineonTO-220 |
20824 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
880000 |
25+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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13年
留言
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INFINE0NTO-220-3 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
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17年
留言
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Infineon原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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4年
留言
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ONSEMI/安森美TO-263-5 |
29954 |
24+ |
只做原装进口现货 |
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BUZ31H3045A价格
BUZ31H3045A价格：￥5.5592品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的BUZ31H3045A多少钱，想知道BUZ31H3045A价格是多少？参考价：￥5.5592。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BUZ31H3045A批发价格及采购报价，BUZ31H3045A销售排行榜及行情走势，BUZ31H3045A报价。
BUZ31中文资料Alldatasheet PDF
更多BUZ31功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ31 E3045A功能描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO-220 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:SIPMOS® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BUZ31 E3046功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ31 H功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ31 H3045A功能描述:MOSFET N-Channel 200V Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ31 L3045A功能描述:MOSFET SIPMOS PWR Transistr N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUZ311制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
BUZ31E3045ANT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R
BUZ31E3045AXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R
BUZ31E3046XK制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 14.5A 3-Pin(3+Tab) TO-262 T/R
