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BUK764R4-60E

N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

BUK764R4-60E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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更多BUK764R4-60E低压MOS管供应商 更新时间2024-6-15 10:59:00