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BUK7225-55A	文件：284.64 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOSstandardlevelFET	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BUK7225-55A	文件：352.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=55V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
BUK7225-55A	文件：830.99 Kbytes Page：13 Pages	N-channelTrenchMOSstandardlevelFET 1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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TrenchMOSstandardlevelFET

PhilipsROYAL PHILIPS

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Philips

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainSourceVoltage :VDSS=55V(Min) ·LowRDS(ON) ·FastSwitchingSpeed ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·DesignedforSwitchedModePowerSupplies(SMPS), motorcontrol,welding,andingeneralpurposeswi

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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N-channelTrenchMOSstandardlevelFET

1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingTrenchMOStechnology.Thisproducthasbeendesignedandqualifiedto theappropriateAECstandardforuseinautomotivecriticalapplications. 1.2Featuresandbenefits

安世安世半导体(中国)有限公司

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更多BUK7225-55AMOS供应商更新时间2024-5-29 16:01:00

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