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BUK6D38-30E	文件：284.27 Kbytes Page：15 Pages	30V,N-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inamediumpowerDFN2020MD-6 (SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •Sidewettableflanksforo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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BUK6D38-30E

文件：284.27 Kbytes

Page：15 Pages

30V,N-channelTrenchMOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inamediumpowerDFN2020MD-6 (SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •Sidewettableflanksforo

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

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更多BUK6D38-30EX供应商更新时间2024-6-4 21:58:00

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