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BTS112	文件：332.91 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：332.91 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BTS112	文件：319.78 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET (N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic) Features ● N channel ● Enhancement mode ● Temperature sensor with thyristor characteristic ● The drain pin is electricalIy shorted to the tab 文件：319.78 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BTS112	文件：300 bytes Page：1 Pages	TEMPFET (N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS112A	文件：319.78 Kbytes Page：9 Pages	TEMPFET (N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic) Features ● N channel ● Enhancement mode ● Temperature sensor with thyristor characteristic ● The drain pin is electricalIy shorted to the tab 文件：319.78 Kbytes 页数：9 Pages	SIEMENS 西门子	SIEMENS
BTS112A	文件：579.28 Kbytes Page：10 Pages	TEMPFET(N-channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic) Features ● N channel ● Enhancement mode ● Temperature sensor with thyristor characteristic ● The drain pin is electricalIy shorted to the tab 文件：579.28 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BTS112A	文件：300 bytes Page：1 Pages	TEMPFET(N-channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)	Infineon 英飞凌	Infineon
BTS112-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Smart Low Side Switches - N-Channel TEMPFET	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
BTS112
功能描述：
MOSFET N-Channel 60V TEMPFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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深圳市威雅利发展有限公司	BTS112	INFINEON	06+	TO220	1000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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更多BTS112供应商更新时间2022-6-12 10:12:00

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