BTS112数据手册Infineon中文资料规格书
技术参数
- 型号:
BTS112
- 功能描述:
MOSFET N-Channel 60V TEMPFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
infineon |
24+ |
TO263-5 |
2645 |
100%全新原装公司现货供应!随时可发货 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
2511 |
标准封装 |
7000 |
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询价 | ||
INFINEON |
05+ |
原厂原装 |
29374 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
142 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
D2PAK |
7350 |
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S |
23+ |
TO-220AB |
8400 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
INFINEON |
21+ |
TO220 |
1000 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
SIEMENS |
9915 |
134 |
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询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
12000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |