BTS112中文资料西门子数据手册PDF规格书
BTS112规格书详情
特性 Features
● N channel
● Enhancement mode
● Temperature sensor with thyristor characteristic
● The drain pin is electricalIy shorted to the tab
产品属性
- 型号：
BTS112
- 功能描述：
MOSFET N-Channel 60V TEMPFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
英飞凌 |
25+ |
TO220 |
7481 |
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询价 | ||
SIEMENS |
24+ |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
- |
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原装正品,假一赔十 |
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SIEMENS |
25+ |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
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SIEMENS |
25+ |
TO-220AB |
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INFINEON |
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Infineon(英飞凌) |
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INFINEON |
25+ |
TO-263 |
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询价 |
