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BTS3205G	文件：399.94 Kbytes Page：21 Pages	Smart Low-Side Power Switch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS3205GXUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-8	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS3205N	文件：369.47 Kbytes Page：21 Pages	SmartLow-SidePowerSwitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
C3205	文件：73.73 Kbytes Page：1 Pages	2P227/30TCFEPOASFLEXPVDFTYPECMP	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
C3205	文件：57.1 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURE ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat). ●Audiopoweramplifier ●HighCurrent	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
C3205	文件：596.09 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARTRANSISTOR(NPN) FEATURES ComplementarytoKTA1273 HighCurrentApplication SurfaceMountdevice	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
CDT3205	文件：109.9 Kbytes Page：4 Pages	???LED雍멨눣?㎩댍IC	BOWIN BOWIN ELECTRONIC CO.	BOWIN
CDT3205APP	文件：93.72 Kbytes Page：7 Pages	???LED雍멨눣?㎩댍IC	BOWIN BOWIN ELECTRONIC CO.	BOWIN
CEB3205	文件：417.85 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 5V,108.5A,RDS(ON)=8.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB3205	文件：479.48 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 55V,108.5A,RDS(ON)=8.5mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

详细参数

型号：
BTS3205G
功能描述：
电源开关 IC - 配电 HITFET SMART LOW SIDE
RoHS：
否
制造商：
Exar
输出端数量：
1
开启电阻（最大值）：
85 mOhms
开启时间（最大值）：
400 us
关闭时间（最大值）：
20 us
工作电源电压：
3.2 V to 6.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-23-5

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