BTS112中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
BTS112规格书详情
FEATURES
· Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃
· Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min)
· Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V
DESCRIPTION
· Motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
产品属性
- 型号:
BTS112
- 功能描述:
MOSFET N-Channel 60V TEMPFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
infineon |
1822+ |
TO-263 |
9852 |
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询价 | ||
西门子 |
23+ |
SOT-263 |
6000 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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INFINEON |
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TO220 |
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INFINEON/英飞凌 |
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TO-263 |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
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INFINEON |
23+ |
TO-263 |
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INFINEON |
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TO220 |
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