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BTA1759N3	文件：155.37 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltagePNPEpitaxialPlanarTransistor Description •Highbreakdownvoltage.(BVCEO=-400V) •Lowsaturationvoltage,typicalVCE(sat)=-0.2VatIc/IB=-20mA/-2mA. •WideSOA(safeoperationarea). •ComplementarytoBTC4505N3.	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC

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制造商&上传企业

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BTA1759N3

文件：155.37 Kbytes

Page：4 Pages

HighVoltagePNPEpitaxialPlanarTransistor

Description •Highbreakdownvoltage.(BVCEO=-400V) •Lowsaturationvoltage,typicalVCE(sat)=-0.2VatIc/IB=-20mA/-2mA. •WideSOA(safeoperationarea). •ComplementarytoBTC4505N3.

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

CYSTEKEC

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更多BTA1759N3,BU4936FVE,R1130H331VB-T1供应商更新时间2024-6-15 17:00:00

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