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BTS712N1	文件：360.32 Kbytes Page：15 Pages	Smart Four Channel Highside Power Switch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinputanddiagnosticfeedback,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOS®technology. Providingembeddedprotectivefunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitation •Short-circ	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS712N1	文件：183.31 Kbytes Page：14 Pages	Smart Four Channel Highside Power Switch (Overload protection Current limitation Short-circuit protection Thermal shutdown) GeneralDescription NchannelverticalpowerFETwithchargepump,groundreferencedCMOScompatibleinputanddiagnosticfeedback,monolithicallyintegratedinSmartSIPMOS®technology.Fullyprotectedbyembeddedprotectionfunctions. Features •Overloadprotection •Currentlimitation •Sh	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BTS712N1	文件：1.38969 Mbytes Page：17 Pages	Smart Four Channel Highside Power Switch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS712N1_10	文件：1.38969 Mbytes Page：17 Pages	Smart Four Channel Highside Power Switch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BTS712N1XUMA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR SWITCH N-CHAN 1:1 DSO-20	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
BTS712N1
功能描述：
电源开关 IC - POE/LAN SMART 4-CH HI-SIDE PWR SWITCH
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
开关数量：
Single
开关配置：
SPST
开启电阻（最大值）：
7.3 Ohms
开启时间（最大值）：
13 ns
关闭时间（最大值）：
20 ns
工作电源电压：
8 V to 26 V
最大工作温度：
+ 125 C
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220F-6

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更多BTS712N1供应商更新时间2025-7-16 15:08:00

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