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BST52	文件：46.19 Kbytes Page：8 Pages	NPN Darlington transistors DESCRIPTION NPNDarlingtontransistorinaSOT89plasticpackage. PNPcomplements:BST60,BST61andBST62. FEATURES •Highcurrent(max.0.5A) •Lowvoltage(max.80V) •Integrateddiodeandresistor. APPLICATIONS •Industrialswitchingapplicationssuchas: –Printhammer –	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BST52	文件：16.11 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR FEATURES FastSwitching HighhFE	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BST52	文件：42.37 Kbytes Page：2 Pages	NPN Darlington Transistors Features ●Highcurrent(max.0.5A) ●Lowvoltage(max.80V) ●Integrateddiodeandresistor.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BST52	文件：294.78 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES ●LowVoltage ●HighCurrent ●IntegratedDiodeandResistor APPLICATIONS ●IndustrialSwitchingApplications:PrintHammer,Solenoid,RelayandLampDriving	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
BST52	文件：134.16 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowVoltage ●HighCurrent ●IntegratedDiodeandResistor APPLICATIONS ●IndustrialSwitchingApplications:PrintHammer,Solenoid,RelayandLampDriving	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BST52	文件：108.79 Kbytes Page：3 Pages	NPN Darlington Transistor FEATURES ●Highcurrent(max.0.5A). ●Highvoltage(max.80v). ●Integrateddiodeandresistor. ●PNPcomplements:BST60,BST61ANDBST62. APPLICATIONS ●Industrialswitchingapplicationssuchas: -Printhammer -Solenoid -Relayandlampdriving	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BST52	文件：329.19 Kbytes Page：9 Pages	Marking：AS3；Package：SOT89；NPN Darlington transistors FEATURES •Highcurrent(max.0.5A) •Lowvoltage(max.80V) •Integrateddiodeandresistor. APPLICATIONS •Industrialswitchingapplicationssuchas: –Printhammer –Solenoid –Relayandlampdriving. DESCRIPTION NPNDarlingtontransistorinaSOT89plasticpackage.PNPcomplements:BS	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BST52	文件：225.48 Kbytes Page：6 Pages	80V NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT89 Features •BVCEO>80V •Highcurrentgain •MaxContinuousCurrentIC=500mA •Fastswitching •LeadFree,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFree,“Green”Device(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BST52TA	文件：225.48 Kbytes Page：6 Pages	Marking：AS3；Package：SOT89；80V NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT89 Features •BVCEO>80V •Highcurrentgain •MaxContinuousCurrentIC=500mA •Fastswitching •LeadFree,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFree,“Green”Device(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BST52_15	文件：225.91 Kbytes Page：6 Pages	80V NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT89	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

详细参数

型号：
BST52
功能描述：
达林顿晶体管 TRANS DARLINGTON TAPE-13
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
配置：
Octal
晶体管极性：
NPN 集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
集电极—基极电压
最大直流电集电极电流：
0.5 A
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-18
封装：
Reel

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