BST52分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
BST52 |
参数属性 | BST52 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 80V 1A SOT89 |
功能描述 | NPN Darlington transistors |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT89 / TO-243AA |
文件大小 |
329.19 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Nexperia B.V. All rights reserved |
企业简称 |
NEXPERIA【安世】 |
中文名称 | 安世半导体(中国)有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-2 12:00:00 |
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BST52规格书详情
FEATURES
•High current (max. 0.5 A)
•Low voltage (max. 80 V)
•Integrated diode and resistor.
APPLICATIONS
•Industrial switching applications such as:
–Print hammer
–Solenoid
–Relay and lamp driving.
DESCRIPTION
NPN Darlington transistor in a SOT89 plastic package. PNP complements: BST60, BST61 and BST62.
产品属性
- 产品编号:
BST52,135
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 系列:
Automotive, AEC-Q101
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.3V @ 500µA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
2000 @ 500mA,10V
- 频率 - 跃迁:
200MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-243AA
- 供应商器件封装:
SOT-89
- 描述:
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT89
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
NA |
54943 |
询价 | |||
恩XP |
2511 |
N/A |
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恩XP |
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恩XP |
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NEXPERIA/安世 |
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恩XP |
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