BST51分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BST51 |
| 参数属性 | BST51 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89 |
| 功能描述 | NPN Darlington Transistor |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 文件大小 |
108.79 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
| 企业简称 |
BILIN【银河微电】 |
| 中文名称 | 常州银河世纪微电子股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-21 23:00:00 |
| 人工找货 | BST51价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BST51规格书详情
FEATURES
● High current(max.0.5A).
● High voltage(max.80v).
● Integrated diode and resistor.
● PNP complements:BST60,BST61 AND BST62.
APPLICATIONS
● Industrial switching applications such as:
-Print hammer
-Solenoid
-Relay and lamp driving
产品属性
- 产品编号：
BST51,135
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.3V @ 500µA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 500mA，10V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89
- 描述：
TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
88040 |
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询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT89 |
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恩XP |
2016+ |
SOT89 |
3000 |
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恩XP |
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SOT89 |
100000 |
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恩XP |
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SOT89 |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-89 |
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NEXPERIA |
23+ |
SOT-89 |
63000 |
原装正品现货 |
询价 |
