BST51分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BST51 |
| 参数属性 | BST51 封装/外壳为TO-243AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89 |
| 功能描述 | NPN Darlington transistors |
| 封装外壳 | TO-243AA |
| 文件大小 |
46.19 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Philips Semiconductors |
| 企业简称 |
PHI【飞利浦】 |
| 中文名称 | 荷兰皇家飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-2 23:00:00 |
| 人工找货 | BST51价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BST51规格书详情
DESCRIPTION
NPN Darlington transistor in a SOT89 plastic package.
PNP complements: BST60, BST61 and BST62.
FEATURES
• High current (max. 0.5 A)
• Low voltage (max. 80 V)
• Integrated diode and resistor.
APPLICATIONS
• Industrial switching applications such as:
– Print hammer
– Solenoid
– Relay and lamp driving.
产品属性
- 产品编号：
BST51,135
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.3V @ 500µA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 500mA，10V
- 频率 - 跃迁：
200MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-243AA
- 供应商器件封装：
SOT-89
- 描述：
TRANS NPN DARL 60V 1A SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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