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BST52TA	文件：225.48 Kbytes Page：6 Pages	Marking：AS3；Package：SOT89；80V NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT89 Features •BVCEO>80V •Highcurrentgain •MaxContinuousCurrentIC=500mA •Fastswitching •LeadFree,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFree,“Green”Device(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BST52TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT89-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM

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BST52TA

文件：225.48 Kbytes

Page：6 Pages

Marking：AS3；Package：SOT89；80V NPN SILICON PLANAR DARLINGTON TRANSISTOR IN SOT89

Features •BVCEO>80V •Highcurrentgain •MaxContinuousCurrentIC=500mA •Fastswitching •LeadFree,RoHSCompliant(Note1) •HalogenandAntimonyFree,“Green”Device(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

BST52TA

文件：100 bytes

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Package：TO-243AA；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT89-3

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司

PAM

产品属性

产品编号：
BST52TA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.3V @ 500µA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 150mA，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
SOT-89-3
描述：
TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT89-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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