BSS64数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
BSS64 |
参数属性 | BSS64 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 0.2A SOT23-3 |
功能描述 | NPN 通用放大器 |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 10:00:00 |
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BSS64规格书详情
描述 Description
该器件设计用于通用高压放大器和气体放电显示驱动。 采用工艺16设计。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
BSS64属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BSS64晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BSS64
- 生产厂家
:ONSEMI
- Compliance
:Pb-freeHalide free
- Status
: Active
- Description
: NPN General Purpose Amplifier
- Polarity
:NPN
- Type
:General Purpose
- VCE(sat) Max (V)
:Condition: IC = 4 mA
- IC Cont. (A)
:0.2
- VCEO Min (V)
:80
- VCBO (V)
:120
- VEBO (V)
:5
- VBE(sat) (V)
:1.2
- VBE(on) (V)
:-
- hFE Min
:Condition: IC = 10mA
- hFE Max
:-
- fT Min (MHz)
:60
- PTM Max (W)
:0.35
- Package Type
:SOT-23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
恩XP |
1730 |
3300 |
全新原装现货 |
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25+23+ |
Sot-23 |
30687 |
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FAIRCHI |
23+ |
SOT23 |
8560 |
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2022+ |
620 |
全新原装 货期两周 |
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50000 |
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FAICHILD |
23+ |
SOT23 |
11500 |
原厂原装正品 |
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SOT-23-3 |
30000 |
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恩XP |
24+ |
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9000 |
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23+ |
SOT23 |
15000 |
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