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BSS63L数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BSS63L

参数属性

BSS63L 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3

功能描述

高压 NPN 双极晶体管
TRANS PNP 100V 0.1A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 19:29:00

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BSS63L规格书详情

描述 Description

The High Voltage PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.

特性 Features

• The SOT-23 Package can be soldered using wave or reflow. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die
• Available in 12 mm Tape and Reel Use BSP52T1 to order the 7 inch/1000 unit reel Use BSP52T3 to order the 13 inch/4000 unit reel
• PNP Complement is BSP62T1

简介

BSS63L属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BSS63L晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BSS63L

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :0.25

  • IC Cont. (A)

    :0.1

  • VCEO Min (V)

    :100

  • VCBO (V)

    :110

  • VEBO (V)

    :-

  • VBE(sat) (V)

    :0.9

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :30

  • hFE Max

    :-

  • fT Min (MHz)

    :50

  • PTM Max (W)

    :0.225

  • Package Type

    :SOT-23-3

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