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BSS63A中文资料高耐压放大用晶体管(-100V,-100mA)数据手册ROHM规格书

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厂商型号

BSS63A

参数属性

BSS63A 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 0.1A SST3

功能描述

高耐压放大用晶体管(-100V,-100mA)
TRANS PNP 100V 0.1A SST3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:41:00

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BSS63A规格书详情

描述 Description

BSS63A是采用SOT-23封装的晶体管,适用于高耐压放大。

特性 Features

• High breakdown voltage. (BVCEO=-100V)
• Complements the BSS64A

简介

BSS63A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BSS63A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BSS63A

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :SOT-23

  • 包装数量

    :3000

  • 最小独立包装数量

    :3000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Package Code

    :SOT-23

  • Number of terminal

    :3

  • Polarity

    :PNP

  • Collector Power dissipation PC[W]

    :0.2

  • Collector-Emitter voltage VCEO1[V]

    :-100

  • Collector current Io(Ic) [A]

    :-0.1

  • hFE

    :30 to

  • hFE (Min.)

    :30

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :2.9x2.4 (t=1.2)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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