BSS63A中文资料高耐压放大用晶体管(-100V,-100mA)数据手册ROHM规格书

| 厂商型号 |
BSS63A |
| 参数属性 | BSS63A 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 0.1A SST3 |
| 功能描述 | 高耐压放大用晶体管(-100V,-100mA) |
| 封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 制造商 | ROHM Rohm |
| 中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-29 22:30:00 |
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BSS63A规格书详情
描述 Description
BSS63A是采用SOT-23封装的晶体管,适用于高耐压放大。
特性 Features
• High breakdown voltage. (BVCEO=-100V)
• Complements the BSS64A
简介
BSS63A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由ROHM制造生产的BSS63A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BSS63A
- 生产厂家
:ROHM
- 封装
:SOT-23
- 包装数量
:3000
- 最小独立包装数量
:3000
- 包装形态
:Taping
- RoHS
:Yes
- Package Code
:SOT-23
- Number of terminal
:3
- Polarity
:PNP
- Collector Power dissipation PC[W]
:0.2
- Collector-Emitter voltage VCEO1[V]
:-100
- Collector current Io(Ic) [A]
:-0.1
- hFE
:30 to
- hFE (Min.)
:30
- Mounting Style
:Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:150
- Package Size [mm]
:2.9x2.4 (t=1.2)
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